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IRF842

更新时间： 2024-11-01 22:51:35

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体晶体管功率场效应晶体管栅
页数	文件大小	规格书
2页	151K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

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IRF842 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.3	其他特性：	LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A
最大漏极电流 (ID)：	7 A	最大漏源导通电阻：	1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	150 pF
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	125 W	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	28 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	120 ns	最大开启时间（吨）：	50 ns

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF842-009	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF842-012PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF842FI	STMICROELECTRONICS	获取价格	4A, 500V, 1.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRF842R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-220AB
IRF843	MOTOROLA	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
IRF843	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRF843	INFINEON	获取价格	TRANSISTORS N-CHANNEL
IRF843	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V
IRF843FI	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 4A I(D) \| TO-220AB
IRF843R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-220AB