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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF843FI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
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| IRF843R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB |
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| IRF8513PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF8513TRPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF8707 | INFINEON |
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30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装 |
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| IRF8707GPBF | INFINEON |
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Control MOSFET of Sync-Buck Converters used for Notebook Processor Power |
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| IRF8707GTRPBF | INFINEON |
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Control MOSFET of Sync-Buck Converters used for Notebook Processor Power |
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| IRF8707PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF8707PBF-1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor |
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| IRF8707TR | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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