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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.68 | 雪崩能效等级（Eas）： | 510 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 7 A | 最大漏源导通电阻： | 1.1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 125 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 28 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 104 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 56 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF842-009 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRF842-012PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRF842FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4A, 500V, 1.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| IRF842R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB |
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| IRF843 | MOTOROLA |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| IRF843 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| IRF843 | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTORS N-CHANNEL |
|
| IRF843 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V |
|
| IRF843FI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
|
| IRF843R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB |
|
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