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IRF841-010

更新时间: 2024-11-24 13:54:47
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英飞凌 - INFINEON 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 45K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 450V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

IRF841-010 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.71Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:450 V最大漏极电流 (ID):8 A
最大漏源导通电阻:0.85 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):32 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRF841-010 数据手册

  

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