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IRF7420TR

更新时间: 2024-02-11 10:26:40
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 107K
描述
Transistor

IRF7420TR 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.53
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):11.5 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2.5 W子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
Base Number Matches:1

IRF7420TR 数据手册

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IRF7420  
0.025  
0.020  
0.015  
0.010  
0.005  
0.08  
0.06  
0.04  
0.02  
0
V
= -1.8V  
GS  
I
= -11.5A  
D
V
= -2.5V  
GS  
V
= -4.5V  
40.0  
GS  
0.0  
2.0  
4.0  
6.0  
8.0  
0.0  
10.0  
20.0  
30.0  
50.0  
-V  
GS,  
Gate -to -Source Voltage (V)  
-ID , Drain Current ( A )  
Fig 12. Typical On-Resistance Vs.  
Fig 13. Typical On-Resistance Vs.  
Gate Voltage  
Drain Current  
Current Regulator  
Same Type as D.U.T.  
50KΩ  
Q
G
.2µF  
12V  
.3µF  
-
V
+
DS  
Q
Q
GD  
D.U.T.  
GS  
V
GS  
V
G
-3mA  
I
I
D
G
Charge  
Current Sampling Resistors  
Fig 14a. Basic Gate Charge Waveform  
Fig 14b. Gate Charge Test Circuit  
6
www.irf.com  

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