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IRF6604

更新时间： 2024-02-17 13:04:27
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
11页 205K
描述
Power MOSFET

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IRF6604 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：CHIP CARRIER, R-XBCC-N3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.81雪崩能效等级（Eas）：32 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：12 A
最大漏源导通电阻：0.0115 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XBCC-N3JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：92 A
表面贴装：YES端子面层：Silver/Nickel (Ag/Ni)
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF6604 数据手册

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PD - 94365B  
IRF6604  
HEXFET® Power MOSFET  
l Application Specific MOSFETs  
l Ideal for CPU Core DC-DC Converters  
l Low Conduction Losses  
VDSS  
30V  
RDS(on) max  
11.5mΩ@VGS = 7.0V  
13mΩ@VGS = 4.5V  
Qg  
17nC  
l Low Switching Losses  
l Low Profile (<0.7 mm)  
l Dual Sided Cooling Compatible  
l Compatible with existing Surface Mount  
Techniques  
DirectFET™ ISOMETRIC  
Description  
The IRF6604 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging  
to achieve the lowest on-state resistance charge product in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm  
profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly  
equipment and vapor phase, infra-red or convection soldering techniques. The DirectFET package allows dual sided cooling  
to maximize thermal transfer in power systems, IMPROVING previous best thermal resistance by 80%.  
The IRF6604 balances both low resistance and low charge along with ultra low package inductance to reduce both conduc-  
tion and switching losses. The reduced total losses make this product ideal for high efficiency DC-DC converters that power  
the latest generation of processors operating at higher frequencies. The IRF6604 has been optimized for parameters that  
are critical in synchronous buck converters including Rds(on) and gate charge to minimize losses in the control FET socket.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
30  
Units  
V
VDS  
Drain-to-Source Voltage  
V
Gate-to-Source Voltage  
±12  
49  
GS  
Continuous Drain Current, VGS @ 7.0V  
Continuous Drain Current, VGS @ 7.0V  
Continuous Drain Current, VGS @ 7.0V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
I
@ TC = 25°C  
D
D
D
@ TA = 25°C  
@ TA = 70°C  
12  
A
9.2  
92  
DM  
Power Dissipation  
P
P
P
@TA = 25°C  
@TA = 70°C  
@TC = 25°C  
2.3  
1.5  
42  
D
D
D
Power Dissipation  
W
Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
0.018  
-40 to + 150  
W/°C  
°C  
T
J
T
Storage Temperature Range  
STG  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Ambient  
Typ.  
–––  
12.5  
20  
Max.  
55  
Units  
RθJA  
RθJA  
–––  
–––  
3.0  
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Case  
RθJA  
°C/W  
RθJC  
–––  
1.0  
RθJ-PCB  
Junction-to-PCB Mounted  
–––  
Notes  through ‡are on page 11  
www.irf.com  
1
6/11/03  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF6604PBF INFINEON

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