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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF6607TR1
IRF6607TR1 PDF预览

IRF6607TR1

更新时间： 2024-02-19 11:40:38
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲瞄准线
页数 文件大小 规格书
11页 200K
描述
Power MOSFET

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IRF6607TR1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：ISOMETRIC-3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.79Is Samacsys：N
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS雪崩能效等级（Eas）：51 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：94 A
最大漏极电流 (ID)：27 A最大漏源导通电阻：0.0033 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XBCC-N3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：220 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF6607TR1 数据手册

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PD - 94574B  
IRF6607  
HEXFET® Power MOSFET  
VDSS  
30V  
RDS(on) max  
l Application Specific MOSFETs  
l Ideal for CPU Core DC-DC Converters  
l Low Conduction Losses  
Qg(typ.)  
3.3m @VGS = 10V  
Ω
50nC  
4.4mΩ@VGS = 4.5V  
l High Cdv/dt Immunity  
l Low Profile (<0.7 mm)  
l Dual Sided Cooling Compatible  
l Compatible with existing Surface  
Mount Techniques  
DirectFET™ISOMETRIC  
MT  
Applicable DirectFET Outline and Substrate Outline (see p.9,10 for details)  
SQ SX ST MQ MX MT  
Description  
The IRF6607 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging  
to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The  
DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and  
vapor phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the  
manufacturing methods and process. The DirectFET package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in  
power systems, IMPROVING previous best thermal resistance by 80%.  
The IRF6607 balances both low resistance and low charge along with ultra low package inductance to reduce both conduc-  
tion and switching losses. The reduced total losses make this product ideal for high efficiency DC-DC converters that power  
the latest generation of processors operating at higher frequencies. The IRF6607 has been optimized for parameters that  
are critical in synchronous buck converters including Rds(on), gate charge and Cdv/dt-induced turn on immunity. The  
IRF6607 offers particularly low Rds(on) and high Cdv/dt immunity for synchronous FET applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Max.  
Parameter  
Units  
VDS  
30  
Drain-to-Source Voltage  
V
±12  
Gate-to-Source Voltage  
V
GS  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
94  
I
I
I
I
@ TC = 25°C  
D
D
D
27  
22  
A
@ TA = 25°C  
@ TA = 70°C  
220  
DM  
3.6  
Power Dissipation  
P
P
P
@TA = 25°C  
@TA = 70°C  
@TC = 25°C  
D
D
D
2.3  
Power Dissipation  
W
42  
Power Dissipation  
0.029  
-40 to + 150  
Linear Derating Factor  
W/°C  
°C  
Operating Junction and  
T
T
J
Storage Temperature Range  
STG  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Ambient  
Typ.  
–––  
12.5  
20  
Max.  
35  
Units  
RθJA  
RθJA  
–––  
–––  
3.0  
RθJA  
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Case  
°C/W  
RθJC  
–––  
–––  
RθJ-PCB  
Junction-to-PCB Mounted  
1.0  
Notes  through ˆare on page 11  
www.irf.com  
1
4/8/04  
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