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IRF6602TR1

更新时间： 2024-02-02 12:57:48
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描述
HEXFET Power MOSFET

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IRF6602TR1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：ISOMETRIC-3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.83雪崩能效等级（Eas）：97 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A
最大漏极电流 (ID)：11 A最大漏源导通电阻：0.013 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XBCC-N3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：89 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF6602TR1 数据手册

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PD-94363C  
IRF6602/IRF6602TR1  
HEXFET® Power MOSFET  
VDSS  
20V  
RDS(on) max  
13mΩ@VGS = 10V  
19mΩ@VGS = 4.5V  
Qg  
12nC  
l ApplicationSpecificMOSFETs  
l Ideal for CPU Core DC-DC Converters  
l Low Conduction Losses  
l Low Switching Losses  
l Low Profile (<0.7 mm)  
l Dual Sided Cooling Compatible  
l Compatible with existing Surface Mount Techniques  
DirectFET™ ISOMETRIC  
MQ  
Applicable DirectFET Package/Layout Pad (see p.9, 10 for details)  
MQ  
SQ  
SX  
ST  
MX  
MT  
Description  
The IRF6602 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to  
achieve the lowest on-state resistance charge product in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile.  
The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment  
and vapor phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the  
manufacturing methods and processes. The DirectFET package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in  
power systems, IMPROVING previous best thermal resistance by 80%.  
The IRF6602 balances both low resistance and low charge along with ultra low package inductance to reduce both conduction  
and switching losses. The reduced total losses make this product ideal for high efficiency DC-DC converters that power the  
latest generation of processors operating at higher frequencies. The IRF6602 has been optimized for parameters that are  
critical in synchronous buck converters including Rds(on) and gate charge to minimize losses in the control FET socket.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
20  
Units  
V
VDS  
Drain-to-Source Voltage  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
48  
GS  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
I
@ TC = 25°C  
D
D
D
@ TA = 25°C  
@ TA = 70°C  
11  
8.9  
89  
A
DM  
Power Dissipation  
P
P
P
@TA = 25°C  
@TA = 70°C  
@TC = 25°C  
2.3  
1.5  
42  
W
D
D
D
Power Dissipation  
Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
0.018  
-40 to + 150  
W/°C  
°C  
T
J
T
Storage Temperature Range  
STG  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Ambient  
Typ.  
–––  
12.5  
20  
Max.  
55  
Units  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
JA  
–––  
–––  
3.0  
JA  
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Case  
°C/W  
JA  
–––  
1.0  
JC  
Junction-to-PCB Mounted  
–––  
J-PCB  
Notes  through ‡are on page 11  
www.irf.com  
1
3/1/04  
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