5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.1 | 雪崩能效等级（Eas）： | 550 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 250 V | 最大漏极电流 (ID)： | 14 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.28 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 56 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF644A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRF644B | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| IRF644B_FP001 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF644B-FP001 | ONSEMI |
获取价格 |
分立式 MOSFET |
|
| IRF644BJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF644FPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| IRF644FXPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| IRF644N | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A) |
|
| IRF644N | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRF644NL | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A) |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
