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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.1 | 雪崩能效等级（Eas）： | 550 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 250 V | 最大漏极电流 (ID)： | 14 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.28 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 250 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 56 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN OVER NICKEL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF644A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| IRF644B | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| IRF644B_FP001 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF644B-FP001 | ONSEMI |
获取价格 |
分立式 MOSFET |
|
| IRF644BJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF644FPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| IRF644FXPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| IRF644N | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A) |
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| IRF644N | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRF644NL | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A) |
|
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