IRF644NS

更新时间： 2024-11-01 05:39:27

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	171K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRF644NS 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.04	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	180 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	250 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	14 A
最大漏极电流 (ID)：	14 A	最大漏源导通电阻：	0.24 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	56 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF644NS 数据手册

IRF644N, IRF644NS, IRF644NL, SiHF644N, SiHF644NS, SiHF644NL

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Advanced Process Technology

• Dynamic dV/dt Rating

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

250 V

Available

R_DS(on)(Ω)

Q_g(Max.) (nC)

V_GS= 10 V

0.240

RoHS*

COMPLIANT

9.2

• Fully Avalanche Rated

• Ease of Paralleling

_gs(nC)

_gd(nC)

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

D²PAK (TO-263)

Single

DESCRIPTION

Fifth generation Power MOSFETs from Vishay utilize

advanced processing techniques to achieve extremely low

on-resistance per silicon area. This benefit, combined with

the fast switching speed and ruggedized device design that

Power MOSFETs are well known for, provides the designer

with an extremely efficient and reliable device for use in a

wide variety of applications.

The TO-220 package is universally preferred for all

commercial-industrial applications at power dissipation

levels to approximately 50 W. The low thermal resistance

and low package cost of the TO-220 contribute to its wide

acceptance throughout the industry.

I²PAK (TO-262)

TO-220

N-Channel MOSFET

The D²PAK is a surface mount power package capable of

accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the

highest power capability and the lowest possible on

resistance in any existing surface mount package. The

D²PAK is suitable for high current applications because of its

low internal connection resistance and can dissipate up to

2.0 W in a typical surface mount application.

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

D²PAK (TO-263)

IRF644NSPbF

SiHF644NS-E3

IRF644NS

D²PAK (TO-263)

IRF644NSTRLPbF^a

SiHF644NSTL-E3^a

IRF644NSTRL^a

D²PAK (TO-263)

IRF644NSTRRPbF^a

SiHF644NSTR-E3^a

IRF644NSTRR^a

SiHF644NSTR^a

I²PAK (TO-262)

IRF644NLPbF

SiHF644NL-E3

IRF644NL

IRF644NPbF

SiHF644N-E3

IRF644N

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHF644N

SiHF644NS

SiHF644NSTL^a

SiHF644NL

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Gate-Source Voltage

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

9.9

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy^b

1.0

180^e

8.4

W/°C

E_AS

I_AR

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

Maximum Power Dissipation

Peak Diode Recovery dV/dt^c

E_AR

P_D

_C= 25 °C

150

7.9

dV/dt

V/ns

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91038

S-Pending-Rev. A, 19-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

IRF644NS 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF644NSTRLPBF	VISHAY	完全替代	Power MOSFET
IRF644NSPBF	VISHAY	完全替代	Power MOSFET

与IRF644NS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF644NSPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF644NSPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF644NSTRL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF644NSTRL	INFINEON	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 14A I(D) \| TO-263AB
IRF644NSTRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF644NSTRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF644NSTRR	INFINEON	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 14A I(D) \| TO-263AB
IRF644NSTRR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF644NSTRRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF644NSTRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与IRF644NS相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

22
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

23
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

46
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

54

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRF644NS

IRF644NS 技术参数

IRF644NS 数据手册

IRF644NS 替代型号

与IRF644NS相关器件

与IRF644NS相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRF644NS

IRF644NS 技术参数

IRF644NS 数据手册

IRF644NS 替代型号

与IRF644NS相关器件

与IRF644NS相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？