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IRF644S

更新时间: 2024-11-24 20:09:27
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威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
9页 189K
描述
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, SMD-220, 3 PIN

IRF644S 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:D2PAK包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.02
雪崩能效等级(Eas):550 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):14 A最大漏极电流 (ID):14 A
最大漏源导通电阻:0.28 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263ABJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):125 W最大脉冲漏极电流 (IDM):56 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IRF644S 数据手册

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Document Number: 90070  
www.vishay.com  
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IRF644S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF644SPBF VISHAY

完全替代

Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF644STRRPBF VISHAY

完全替代

Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF644STRLPBF VISHAY

完全替代

Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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