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IRF644SR

更新时间： 2024-11-27 20:03:15

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	237K
描述
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3

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IRF644SR 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.6
雪崩能效等级（Eas）：	490 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (ID)：	14 A	最大漏源导通电阻：	0.28 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	56 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF644SR 数据手册

IRF644S

FEATURES

BV_DSS= 250 V

R_DS(on)= 0.28Ω

I_D= 14 A

Avalanche Rugged Technology

Rugged Gate Oxide Technology

Lower Input Capacitance

♦

Improved Gate Charge

Extended Safe Operating Area

D²-PAK

I²-PAK

Lower Leakage Current: 10 A (Max.) @ V_DS= 250V

Lower R_DS(ON): 0.214 (Typ.)

Ω

1. Gate 2. Drain 3. Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Characteristic

Value

250

Units

V_DSS

Drain-to-Source Voltage

Continuous Drain Current (T_C=25°C)

Continuous Drain Current (T_C=100°C)

Drain Current-Pulsed

I_D

8.9

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

(1)

Gate-to-Source Voltage

(2)

(1)

(3)

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

490

E_AR

dv/dt

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

13.9

4.8

V/ns

Total Power Dissipation (T_A=25°C)

Total Power Dissipation (T_C=25°C)

Linear Derating Factor

3.1

P_D

139

1.11

W/°C

Operating Junction and

T_J, T_STG

- 55 to +150

300

Storage Temperature Range

°C

Maximum Lead Temp. for Soldering

Purposes, 1/8 from case for 5-seconds

T_L

Thermal Resistance

Symbol

R_θJC

Characteristic

Typ.

Max.

Units

Junction-to-Case

0.9

R_θJA

Junction-to-Ambient

°C/W

R_θJA

62.5

When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).

Rev. B

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF644STRL	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF644STRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF644STRLPBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF644STRR	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF644STRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF644STRRPBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF645	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 13A I(D) \| TO-220AB
IRF645-001	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 250V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF645-001PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 250V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF645-002	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 250V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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