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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF644A

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IRF644A

更新时间： 2024-11-01 04:23:15

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
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Advanced Power MOSFET

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IRF644A

FEATURES

BV_DSS= 250 V

R_DS(on)= 0.28Ω

I_D= 14 A

Avalanche Rugged Technology

Rugged Gate Oxide Technology

Lower Input Capacitance

♦

♦

♦

♦

♦

♦

♦

Improved Gate Charge

Extended Safe Operating Area

TO-220

Lower Leakage Current: 10 A (Max.) @ V_DS= 250V

µ

Lower R_DS(ON): 0.214 (Typ.)

Ω

1

2

3

1.Gate 2. Drain 3. Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Characteristic

Value

250

14

Units

V_DSS

Drain-to-Source Voltage

V

Continuous Drain Current (T_C=25°C)

Continuous Drain Current (T_C=100°C)

Drain Current-Pulsed

I_D

A

8.9

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

(1)

56

A

V

Gate-to-Source Voltage

30

±

(2)

(1)

(1)

(3)

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

490

14

mJ

A

E_AR

dv/dt

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Total Power Dissipation (T_C=25°C)

Linear Derating Factor

13.9

4.8

mJ

V/ns

W

139

1.11

P_D

T_J, T_STG

T_L

W/°C

Operating Junction and

- 55 to +150

300

Storage Temperature Range

Maximum Lead Temp. for Soldering

°C

Purposes, 1/8 from case for 5-seconds

Thermal Resistance

Symbol

R_θJC

Characteristic

Junction-to-Case

Case-to-Sink

Typ.

Max.

0.9

Units

--

0.5

--

R_θCS

--

°C/W

R_θJA

62.5

Junction-to-Ambient

Rev. B

©1999 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF644B	FAIRCHILD	获取价格	250V N-Channel MOSFET
IRF644B_FP001	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF644B-FP001	ONSEMI	获取价格	分立式 MOSFET
IRF644BJ69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF644FPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
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