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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.32 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 250 V | 最大漏源导通电阻： | 0.28 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF644N | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A) |
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| IRF644N | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRF644NL | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A) |
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| IRF644NL | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRF644NLPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRF644NLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF644NPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRF644NPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRF644NS | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRF644NS | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A) |
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