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IRF644B_FP001

更新时间： 2024-09-26 20:06:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 632K
描述
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220, 3 PIN

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IRF644B_FP001 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：8.47
雪崩能效等级（Eas）：480 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：250 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：14 A
最大漏极电流 (ID)：14 A最大漏源导通电阻：0.28 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：139 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：56 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF644B_FP001 数据手册

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December 2013  
IRF644B  
N-Channel BFET MOSFET  
250 V, 14 A, 280 mΩ  
Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar, DMOS technology. This advanced technology has  
been especially tailored to minimize on-state resistance,  
provide superior switching performance, and withstand  
high energy pulse in the avalanche and commutation  
mode. These devices are well suited for high efficiency  
switching DC/DC converters and switch mode power  
supplies.  
•
•
•
•
•
•
14 A, 250 V, RDS(on) = 280 mΩ @ VGS = 10 V  
Low gate charge (Typ. 47 nC)  
Low Crss (Typ. 30 pF)  
Fast Switching  
100% Avalanche Tested  
Improved dv/dt Capability  
D
G
G
D
S
TO-220  
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted.  
C
Symbol  
VDSS  
Parameter  
IRF644B_FP001  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
250  
14  
ID  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
- Pulsed  
Drain Current  
A
8.9  
A
IDM  
(Note 1)  
Drain Current  
56  
A
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source Voltage  
30  
V
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
480  
mJ  
A
14  
EAR  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Power Dissipation (TC = 25°C)  
13.9  
4.8  
mJ  
V/ns  
W
dv/dt  
PD  
139  
- Derate Above 25°C  
1.11  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temperature for Soldering,  
1/8" from Case for 5 Seconds  
300  
°C  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
IRF644B_FP001  
Unit  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
0.9  
0.5  
62.5  
www.fairchildsemi.com  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
IRF644B Rev. C0  
1
12345678

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IRF644B_FP001 替代型号

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