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IRF644

更新时间： 2024-11-24 05:39:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
8页 1644K
描述
Power MOSFET

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IRF644 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.07外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：14 A最大漏极电流 (ID)：14 A
最大漏源导通电阻：0.28 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：56 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF644 数据手册

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IRF644, SiHF644  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
250  
Available  
• Repetitive Avalanche Rated  
• Fast Switching  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
0.28  
RoHS*  
Qg (Max.) (nC)  
68  
11  
COMPLIANT  
• Ease of Paralleling  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
35  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
Configuration  
Single  
D
DESCRIPTION  
TO-220  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 W. The low thermal resistance  
and low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
S
D
G
S
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220  
IRF644PbF  
SiHF644-E3  
IRF644  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHF644  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
250  
V
VGS  
20  
TC = 25 °C  
TC =100°C  
14  
Continuous Drain Current  
V
GS at 10 V  
ID  
8.5  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
56  
Linear Derating Factor  
1.0  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
550  
14  
EAR  
13  
125  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
T
C = 25 °C  
PD  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
4.8  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 150  
300d  
°C  
for 10 s  
6-32 or M3 screw  
10  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 4.5 mH, RG = 25 Ω, IAS = 14 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 14 A, dI/dt ≤ 150 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91039  
S-81241-Rev. B, 07-Jul-08  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF644-001 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF644-018PBF VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF644-031PBF VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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IRF644FPBF INFINEON

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