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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF630B
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IRF630B

更新时间： 2024-11-17 22:31:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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10页 860K
描述
200V N-Channel MOSFET

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IRF630B 数据手册

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IRF630B/IRFS630B  
200V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switching DC/DC converters,  
switch mode power supplies, DC-AC converters for  
uninterrupted power supply and motor control.  
•
•
•
•
•
•
9.0A, 200V, R  
= 0.4Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 22 nC)  
Low Crss ( typical 22 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
G
TO-220  
IRF Series  
TO-220F  
IRFS Series  
G
D S  
G D  
S
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
IRF630B  
IRFS630B  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
200  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
9.0  
5.7  
36  
9.0 *  
5.7 *  
36 *  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
160  
9.0  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
7.2  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
5.5  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
72  
38  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.57  
0.3  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
300  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
* Drain current limited by maximum junction temperature.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
IRF630B  
IRFS630B  
3.33  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case Max.  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
1.74  
0.5  
θJC  
--  
θCS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient Max.  
62.5  
62.5  
θJA  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, December 2002  
1234567...10

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IRF630B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFS630B FAIRCHILD

完全替代

 200V N-Channel MOSFET
IRF640B FAIRCHILD

类似代替

 200V N-Channel MOSFET
IRFS640B FAIRCHILD

类似代替

 200V N-Channel MOSFET

与IRF630B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF630C MOTOROLA

获取价格

 		9A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF630D1 MOTOROLA

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF630F ISC

获取价格

 		N-channel mosfet transistor
IRF630FI STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
IRF630FP STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 200V - 0.35ihm - 9A - TO-220/FP MESH OVERLAY] MOSFET
IRF630FP INFINEON

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 		N-MOSFET
IRF630FPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
IRF630FX INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
IRF630FXPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
IRF630M STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 200V - 0.35W - 9A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET

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