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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF6215PBF
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IRF6215PBF

更新时间： 2024-11-12 04:23:15
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管
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描述
HEXFET㈢ Power MOSFET

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PD - 94817  
IRF6215PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
ꢃ Advanced Process Technology  
ꢃ Dynamic dv/dt Rating  
ꢃ 175°C Operating Temperature  
ꢃ Fast Switching  
D
VDSS = -150V  
ꢃ P-Channel  
ꢃ Fully Avalanche Rated  
ꢃ Lead-Free  
RDS(on) = 0.29Ω  
G
ID = -13A  
S
Description  
Fifth Generation HEXFETs from InternationalRectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET Power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient and reliable device for use  
in a wide variety of applications.  
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrialapplicationsatpowerdissipation  
levels to approximately 50 watts. The low thermal  
resistance and low package cost of the TO-220  
contribute to its wide acceptance throughout the  
industry.  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
-13  
-9.0  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Pulsed Drain Current ꢀ  
A
-44  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
110  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.71  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
Single Pulse Avalanche Energyꢁ  
Avalanche Currentꢀ  
310  
mJ  
A
-6.6  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energyꢀ  
Peak Diode Recovery dv/dt ꢂ  
Operating Junction and  
11  
mJ  
V/ns  
-5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
Typ.  
–––  
0.50  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
1.4  
–––  
62  
°C/W  
11/5/03  
12345678

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IRF6215PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AUIRF6215 INFINEON

完全替代

 Advanced Planar Technology Low On-Resistance
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