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IRF3710PBF

更新时间: 2024-02-12 09:19:59
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC局域网
页数 文件大小 规格书
8页 185K
描述
HEXFET Power MOSFET

IRF3710PBF 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:D2PAK
包装说明:LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.05其他特性:AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas):200 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):59 A最大漏极电流 (ID):59 A
最大漏源导通电阻:0.018 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263ABJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):160 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):240 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRF3710PBF 数据手册

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IRF3710PbF  
550  
440  
330  
220  
110  
0
I
15V  
D
TOP  
11A  
20A  
28A  
BOTTOM  
DRIVER  
+
L
V
DS  
D.U.T  
AS  
R
G
V
DD  
-
I
A
VGS  
0.01  
t
p
Fig 12aꢀ Unclamped Inductive Test Circuit  
V
(BR)DSS  
t
p
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
°
( C)  
Starting T , Junction Temperature  
J
Fig 12cꢀ Maximum Avalanche Energy  
Vs# Drain Current  
I
AS  
Fig 12bꢀ Unclamped Inductive Waveforms  
Current Regulator  
Same Type as D.U.T.  
50KΩ  
.2µF  
12V  
.3µF  
Q
G
+
VGS  
V
DS  
D.U.T.  
-
Q
Q
GD  
GS  
V
GS  
V
G
3mA  
I
I
D
G
Current Sampling Resistors  
Charge  
Fig 13bꢀ Gate Charge Test Circuit  
Fig 13aꢀ Basic Gate Charge Waveform  
6
www.irf.com  

IRF3710PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MTD3055E MOTOROLA

功能相似

TMOS IV N-Channel Enhancement-Mode Power Field Effect Transistor DPAK for Surface or Inser
HUF75639P3 FAIRCHILD

功能相似

56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs

与IRF3710PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF3710S INFINEON

获取价格

Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
IRF3710SPBF INFINEON

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HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on)
IRF3710STRLPBF INFINEON

获取价格

Advanced Process Technology
IRF3710STRRPBF INFINEON

获取价格

HEXFET® Power MOSFET
IRF3710Z INFINEON

获取价格

AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3710ZGPBF INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF3710ZL KERSEMI

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Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance
IRF3710ZL INFINEON

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IRF3710ZLPBF INFINEON

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IRF3710ZPBF INFINEON

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