IRF3710PBF

更新时间： 2024-01-19 21:20:09

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HEXFET Power MOSFET

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IRF3710PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.05	其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	200 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	59 A	最大漏极电流 (ID)：	59 A
最大漏源导通电阻：	0.018 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	160 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF3710PBF 数据手册

IRF3710PbF

R_D

V_DS

V_GS

DꢀUꢀTꢀ

R_G

⁺V_DD

V_GS

Pulse Width ≤ 1 µs

Duty Factor ≤ 0.1 %

Fig 10aꢀ Switching Time Test Circuit

90%

100

125

150

175

( C)

, Case Temperature

10%

Fig 9. Maximum Drain Current Vs.

d(on)

d(off)

Case Temperature

Fig 10bꢀ Switching Time Waveforms

D = 0.50

0.20

0.10

0.1

0.05

SINGLE PULSE

(THERMAL RESPONSE)

0.02

0.01

Notes:

1. Duty factor D =

t / t

2. Peak T

= P

x Z

+ T

thJC

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

t , Rectangular Pulse Duration (sec)

Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case

www.irf.com

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