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IRF2204PBF PDF预览

IRF2204PBF

更新时间： 2024-11-05 14:51:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 261K
描述
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3

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IRF2204PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：15 weeks风险等级：0.83
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：460 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：210 A
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.0036 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：330 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：850 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF2204PBF 数据手册

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PD - 95490A  
IRF2204PbF  
Typical Applications  
HEXFET® Power MOSFET  
Industrial Motor Drive  
D
Features  
VDSS = 40V  
Advanced Process Technology  
Ultra Low On-Resistance  
Dynamic dv/dt Rating  
R
DS(on) = 3.6mΩ  
G
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free  
ID = 210A†  
S
Description  
This HEXFET® Power MOSFET utilizes the lastest  
processing techniques to achieve extremely low on-  
resistance per silicon area. Additional features of this  
design are a 175°C junction operating temperature,  
fast switching speed and improved repetitive  
avalanche rating. These features combine to make  
this design an extremely efficient and reliable device  
for use in a wide variety of applications.  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
210†  
150†  
850  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
A
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
330  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
2.2  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
460  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
EAR  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy‡  
Operating Junction and  
mJ  
°C  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
0.45  
–––  
62  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.50  
–––  
°C/W  
www.irf.com  
1
07/22/10  
1234567...9

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IRF2204PBF 替代型号

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