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IRF2204S

更新时间： 2024-11-06 04:23:15
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
11页 224K
描述
AUTOMOTIVE MOSFET

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IRF2204S 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Not Recommended
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.14
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：460 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.0036 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：225极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：850 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF2204S 数据手册

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PD - 94502  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRF2204S  
IRF2204L  
Typical Applications  
HEXFET® Power MOSFET  
●
Electric Power Steering  
●
14 Volts Automotive Electrical Systems  
D
VDSS = 40V  
Features  
●
●
●
●
●
●
Advanced Process Technology  
Ultra Low On-Resistance  
Dynamic dv/dt Rating  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
R
DS(on) = 3.6mΩ  
G
ID = 170A†  
S
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Description  
SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®  
Power MOSFET utilizes the lastest processing techniques to  
achieveextremelylow on-resistancepersiliconarea. Additional  
featurestothisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,  
fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.  
These features combine to make this design an extremely  
efficient and reliable device for use in Automotive applications  
and a wide variety of other applications.  
D2Pak  
IRF2204S  
TO-262  
IRF2204L  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
170†  
120†  
850  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
A
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
200  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
1.3  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
460  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
EAR  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy‡  
Operating Junction and  
mJ  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
0.75  
Units  
RθJC  
RθJA  
°C/W  
Junction-to-Ambient  
–––  
40  
www.irf.com  
1
07/01/02  
1234567...11

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IRF2204S 替代型号

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