5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF2204S
IRF2204S PDF预览

IRF2204S

更新时间： 2024-11-05 04:23:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
11页 224K
描述
AUTOMOTIVE MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRF2204S 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Not Recommended
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.14
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：460 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.0036 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：225极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：850 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF2204S 数据手册

 浏览型号IRF2204S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF2204S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF2204S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF2204S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF2204S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF2204S的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 94502  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRF2204S  
IRF2204L  
Typical Applications  
HEXFET® Power MOSFET  
●
Electric Power Steering  
●
14 Volts Automotive Electrical Systems  
D
VDSS = 40V  
Features  
●
●
●
●
●
●
Advanced Process Technology  
Ultra Low On-Resistance  
Dynamic dv/dt Rating  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
R
DS(on) = 3.6mΩ  
G
ID = 170A†  
S
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Description  
SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®  
Power MOSFET utilizes the lastest processing techniques to  
achieveextremelylow on-resistancepersiliconarea. Additional  
featurestothisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,  
fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.  
These features combine to make this design an extremely  
efficient and reliable device for use in Automotive applications  
and a wide variety of other applications.  
D2Pak  
IRF2204S  
TO-262  
IRF2204L  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
170†  
120†  
850  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
A
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
200  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
1.3  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
460  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
EAR  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy‡  
Operating Junction and  
mJ  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
0.75  
Units  
RθJC  
RθJA  
°C/W  
Junction-to-Ambient  
–––  
40  
www.irf.com  
1
07/01/02  
1234567...11

中文翻译

下载PDF

IRF2204S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF2204SPBF INFINEON

功能相似

 HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) =

与IRF2204S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF2204SPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) =
IRF2204STRL ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 170A I(D) | TO-263AB
IRF2204STRR ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 170A I(D) | TO-263AB
IRF2204STRRPBF INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IRF220E INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
IRF220EA INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
IRF220EB INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
IRF220EC INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
IRF220ECPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
IRF220ED INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se

与IRF2204S相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证