5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4 A | 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 40 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 160 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 100 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF224 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET TRANSISTORS |
|
| IRF225 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET TRANSISTORS |
|
| IRF230 | TI |
获取价格 |
IRF230 |
|
| IRF230 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRF230 | SEME-LAB |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFET |
|
| IRF230 | INTERSIL |
获取价格 |
8.0A and 9.0A, 150V and 200V, 0.4 and 0.6 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
|
| IRF230 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V |
|
| IRF230 | INFINEON |
获取价格 |
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) |
|
| IRF230 | RENESAS |
获取价格 |
9A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
|
| IRF230 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
