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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.8 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.5 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF222R | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF223 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF223 | INTERSIL |
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4.0A and 5.0A, 150V and 200V, 0.8 and 1.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| IRF223 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V |
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| IRF223 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| IRF223R | RENESAS |
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4A, 150V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| IRF224 | INFINEON |
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HEXFET TRANSISTORS |
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| IRF225 | INFINEON |
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HEXFET TRANSISTORS |
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| IRF230 | TI |
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IRF230 |
|
| IRF230 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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