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IRF230

更新时间： 2024-11-27 12:04:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 151K
描述
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE)

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IRF230 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：TO-3, 2 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.07
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：54 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 A
最大漏极电流 (ID)：9 A最大漏源导通电阻：0.49 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-204AA
JESD-30 代码：O-MBFM-P2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：36 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF230 数据手册

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PD - 90334F  
IRF230  
JANTX2N6758  
JANTXV2N6758  
REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED  
HEXFET TRANSISTORS  
THRU-HOLE (TO-204AA/AE)  
[REF:MIL-PRF-19500/542]  
200V, N-CHANNEL  
Product Summary  
Part Number  
BVDSS  
RDS(on)  
ID  
IRF230  
200V  
0.40Ω  
9.0A  
TO-3  
The HEXFET technology is the key to International  
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors.  
The efficient geometry and unique processing of this latest  
“State of the Art” design achieves: very low on-state resis-  
tance combined with high transconductance; superior re-  
verse energy and diode recovery dv/dt capability.  
Features:  
The HEXFET transistors also feature all of the well estab-  
lished advantages of MOSFETs such as voltage control,  
very fast switching, ease of paralleling and temperature  
stability of the electrical parameters.  
n
n
n
n
n
Repetitive Avalanche Ratings  
Dynamic dv/dt Rating  
Hermetically Sealed  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
They are well suited for applications such as switching  
power supplies, motor controls, inverters, choppers, audio  
amplifiers and high energy pulse circuits.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 10V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
9.0  
6.0  
D
GS  
C
A
I
D
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
36  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
75  
W
W/°C  
V
C
0.6  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
54  
GS  
E
AS  
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
mJ  
I
9.0  
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
7.5  
mJ  
AR  
dv/dt  
5.0  
V/ns  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)  
11.5(typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
01/24/01  
1234567

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IRF230 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTX2N6758 INFINEON

完全替代

 POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9A)
IRF130 INFINEON

类似代替

 TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14A)

与IRF230相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF230-233 FAIRCHILD

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 		N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V
IRF230E INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF230EAPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF230EB INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF230EBPBF INFINEON

获取价格

 		9A, 200V, 0.49ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
IRF230EC INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF230ECPBF INFINEON

获取价格

 		9A, 200V, 0.49ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
IRF230ED INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF230EPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF230N NJSEMI

获取价格

 		Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) TO-3

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