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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.75 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (ID)： | 9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-204 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF231R | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 150V 9A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| IRF232 | RENESAS |
获取价格 |
8A, 200V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| IRF232 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF232 | INTERSIL |
获取价格 |
8.0A and 9.0A, 150V and 200V, 0.4 and 0.6 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| IRF232 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V |
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| IRF232 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRF232 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 200V 7.3A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| IRF232R | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 200V 7.3A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| IRF233 | INTERSIL |
获取价格 |
8.0A and 9.0A, 150V and 200V, 0.4 and 0.6 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| IRF233 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 150V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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