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IRF231

更新时间: 2024-11-24 20:27:55
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威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
1页 107K
描述
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204

IRF231 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.75配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:150 V最大漏极电流 (ID):9 A
最大漏源导通电阻:0.4 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-204JESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRF231 数据手册

  

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