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IRF231

更新时间： 2024-09-16 20:30:19

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瑞萨 - RENESAS		/
页数	文件大小	规格书
7页	69K
描述
9A, 150V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

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IRF231 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.18	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A	最大漏极电流 (ID)：	9 A
最大漏源导通电阻：	0.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	75 W	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	36 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	90 ns	最大开启时间（吨）：	80 ns
Base Number Matches：	1

IRF231 数据手册

Semiconductor

IRF230, IRF231,

IRF232, IRF233

8.0A and 9.0A, 150V and 200V, 0.4 and 0.6 Ohm,

N-Channel Power MOSFETs

October 1997

Features

Description

• 8.0A and 9.0A, 150V and 200V

These are N-Channel enhancement mode silicon gate

power ﬁeld effect transistors. They are advanced power

MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a

speciﬁed level of energy in the breakdown avalanche mode

of operation. All of these power MOSFETs are designed for

applications such as switching regulators, switching conver-

tors, motor drivers, relay drivers, and drivers for high power

bipolar switching transistors requiring high speed and low

gate drive power. These types can be operated directly from

integrated circuits.

• r

DS(ON)

= 0.4Ω and 0.6Ω

• Single Pulse Avalanche Energy Rated

• SOA is Power Dissipation Limited

• Nanosecond Switching Speeds

• Linear Transfer Characteristics

• High Input Impedance

Formerly developmental type TA17412.

• Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

Symbol

Ordering Information

PART NUMBER

IRF230

PACKAGE

TO-204AA

BRAND

IRF230

IRF231

IRF232

IRF233

TO-204AA

IRF231

IRF232

IRF233

NOTE: When ordering, use the entire part number.

Packaging

JEDEC TO-204AA

DRAIN

(FLANGE)

SOURCE (PIN 2)

GATE (PIN 1)

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge. Users should follow proper ESD Handling Procedures.

File Number 1568.2

12 3 4 5 6 7

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与IRF231相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF231R	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 150V 9A 3-Pin(2+Tab) TO-3
IRF232	RENESAS	获取价格	8A, 200V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
IRF232	SAMSUNG	获取价格	N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF232	INTERSIL	获取价格	8.0A and 9.0A, 150V and 200V, 0.4 and 0.6 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRF232	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V
IRF232	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRF232	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 200V 7.3A 3-Pin(2+Tab) TO-3
IRF232R	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 200V 7.3A 3-Pin(2+Tab) TO-3
IRF233	INTERSIL	获取价格	8.0A and 9.0A, 150V and 200V, 0.4 and 0.6 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRF233	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 150V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

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