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IRF235R

更新时间: 2024-11-28 08:44:27
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 168K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 250V, 0.68ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA

IRF235R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84雪崩能效等级(Eas):180 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:250 V最大漏极电流 (ID):6.5 A
最大漏源导通电阻:0.68 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-204AAJESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:75 W最大脉冲漏极电流 (IDM):26 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):76 ns最大开启时间(吨):49 ns

IRF235R 数据手册

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