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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.75 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (ID)： | 8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-204 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF233R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-204AA |
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| IRF234 | INTERSIL |
获取价格 |
8.1A and 6.5A, 275V and 250V, 0.45 and 0.68 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| IRF234 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF234R | RENESAS |
获取价格 |
8.1A, 250V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| IRF235 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 250V, 0.68ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF235 | INTERSIL |
获取价格 |
8.1A and 6.5A, 275V and 250V, 0.45 and 0.68 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| IRF235R | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 250V, 0.68ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF236 | INTERSIL |
获取价格 |
8.1A and 6.5A, 275V and 250V, 0.45 and 0.68 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| IRF236R | RENESAS |
获取价格 |
8.1A, 275V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
|
| IRF237 | INTERSIL |
获取价格 |
8.1A and 6.5A, 275V and 250V, 0.45 and 0.68 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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