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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.45 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 54 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9 A | 最大漏源导通电阻： | 0.49 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 36 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | CECC |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF230ED | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF230EPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRF230N | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| IRF230R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-204AA |
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| IRF231 | INTERSIL |
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8.0A and 9.0A, 150V and 200V, 0.4 and 0.6 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| IRF231 | RENESAS |
获取价格 |
9A, 150V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| IRF231 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF231 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V |
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| IRF231 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRF231 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 150V 9A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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