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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.7 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF230-233 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V |
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| IRF230E | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF230EAPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF230EB | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF230EBPBF | INFINEON |
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9A, 200V, 0.49ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| IRF230EC | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF230ECPBF | INFINEON |
获取价格 |
9A, 200V, 0.49ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| IRF230ED | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF230EPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF230N | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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