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IRF230

更新时间: 2024-11-05 22:31:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 181K
描述
N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V

IRF230 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.7
Is Samacsys:N配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):9 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码:e0工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):75 W子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

IRF230 数据手册

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