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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF220EA | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF220EB | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF220EC | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF220ECPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF220ED | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF220EDPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF220EPBF | INFINEON |
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200V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| IRF220PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF221 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF221 | INTERSIL |
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4.0A and 5.0A, 150V and 200V, 0.8 and 1.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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