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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.8 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.5 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2N6756 | INFINEON |
功能相似  |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF222R | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRF223 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRF223 | INTERSIL |
获取价格 |
4.0A and 5.0A, 150V and 200V, 0.8 and 1.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
|
| IRF223 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V |
|
| IRF223 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
|
| IRF223R | RENESAS |
获取价格 |
4A, 150V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
|
| IRF224 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET TRANSISTORS |
|
| IRF225 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET TRANSISTORS |
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| IRF230 | TI |
获取价格 |
IRF230 |
|
| IRF230 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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