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IRF222

更新时间: 2024-11-23 22:48:07
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
5页 169K
描述
N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V

IRF222 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.8
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):3.5 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码:e0
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):40 W
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

IRF222 数据手册

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