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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 40 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 160 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 100 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF222 | INTERSIL |
获取价格 |
4.0A and 5.0A, 150V and 200V, 0.8 and 1.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| IRF222 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V |
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| IRF222 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF222 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 200V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| IRF222R | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF223 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF223 | INTERSIL |
获取价格 |
4.0A and 5.0A, 150V and 200V, 0.8 and 1.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| IRF223 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V |
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| IRF223 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| IRF223R | RENESAS |
获取价格 |
4A, 150V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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