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IRF2204STRRPBF

更新时间： 2024-11-05 13:08:47
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
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IRF2204STRRPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.28
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：460 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：170 A最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.0036 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：850 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF2204STRRPBF 数据手册

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PD - 94434  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRF2204  
HEXFET® Power MOSFET  
Typical Applications  
●
Electric Power Steering  
D
●
14 Volts Automotive Electrical Systems  
VDSS = 40V  
Features  
●
●
●
●
●
●
Advanced Process Technology  
Ultra Low On-Resistance  
Dynamic dv/dt Rating  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
RDS(on) = 3.6mΩ  
G
ID = 210A†  
S
Description  
SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET® PowerMOSFET  
utilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylow on-resistance  
per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating  
temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.  
These features combine to make this design an extremely efficient and reliable  
device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
210†  
150†  
850  
A
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
330  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
2.2  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
460  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
EAR  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy‡  
Operating Junction and  
mJ  
°C  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
0.45  
–––  
62  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.50  
–––  
°C/W  
www.irf.com  
1
08/07/02  
1234567...9

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