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IRF1310NPBF

更新时间: 2024-11-12 11:09:15
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8页 592K
描述
HEXFET POWER MOSFET

IRF1310NPBF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:LEAD FREE PACKAGE-3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:0.78
Samacsys Confidence:3Samacsys Status:Released
Samacsys PartID:367091Samacsys Pin Count:3
Samacsys Part Category:TransistorSamacsys Package Category:Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name:TO-220AB(Height 4.69mm)Samacsys Released Date:2020-05-22 03:17:02
Is Samacsys:N其他特性:AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas):420 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):42 A最大漏极电流 (ID):42 A
最大漏源导通电阻:0.036 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):160 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):140 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IRF1310NPBF 数据手册

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PD - 95690  
IRF1310NPbF  
Lead-Free  
www.irf.com  
8/19/04  

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