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IRF1310STRR

更新时间： 2024-11-12 14:51:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 182K
描述
Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

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IRF1310STRR 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.67Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：43 A
最大漏源导通电阻：0.04 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF1310STRR 数据手册

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PD - 9.1221  
IRF1310S  
HEXFET® Power MOSFET  
Advanced Process Technology  
Ultra Low On-Resistance  
Surface Mount  
Available in Tape & Reel  
Dynamic dv/dt Rating  
VDSS = 100V  
RDS(on) = 0.04Ω  
ID = 41A  
Repetitive Avalanche Rated  
175°C Operating Temperature  
Description  
Fourth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced  
processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon  
area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device  
design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.  
The SMD-220 is a surface mount power package capable of accommodating die  
sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible  
on-resistance in any existing surface mount package. The SMD-220 is suitable for  
high current applications because of its low internal connection resistance and can  
dissipate up to 2.0W in a typical surface mount application.  
SMD-220  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
41  
29  
A
160  
PD @TC = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
170  
W
Power Dissipation (PCB Mount)**  
Linear Derating Factor  
3.8  
1.1  
W/°C  
Linear Derating Factor (PCB Mount)**  
Gate-to-Source Voltage  
0.025  
VGS  
±20  
V
mJ  
A
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Avalanche Current  
230  
IAR  
41  
EAR  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
17  
5.5  
mJ  
V/ns  
dv/dt  
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
-55 to + 175  
300 (1.6mm from case)  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Min.  
––––  
––––  
––––  
Typ.  
––––  
––––  
––––  
Max.  
0.90  
40  
Units  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)**  
Junction-to-Ambient  
°C/W  
62  
** When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material).  
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994.  
Revision 0  
12345678

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