5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 155 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 79 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF1324LPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF1324PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFETPower MOSFET |
|
| IRF1324S-7PPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF1324SPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF1324STRL-7PP | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 24V, 0.001ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF132R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-204AA |
|
| IRF133 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRF133 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V |
|
| IRF133 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRF133 | TI |
获取价格 |
IRF133 |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
