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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 1.38 | Samacsys Confidence： | 3 |
| Samacsys Status： | Released | Samacsys PartID： | 804397 |
| Samacsys Pin Count： | 3 | Samacsys Part Category： | MOSFET (N-Channel) |
| Samacsys Package Category： | Transistor Outline, Vertical | Samacsys Footprint Name： | TO-220AB* |
| Samacsys Released Date： | 2020-04-23 03:08:02 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 270 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 24 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 353 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 195 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0015 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 1412 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF1324S-7PPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF1324SPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF1324STRL-7PP | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 24V, 0.001ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF132R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-204AA |
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| IRF133 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF133 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V |
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| IRF133 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF133 | TI |
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IRF133 |
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| IRF133 | ROCHESTER |
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12A, 80V, 0.23ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| IRF-133+/-10% | VISHAY |
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General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 33 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, AXIAL LE |
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