是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | LEAD FREE, D2PAK-7 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.08 |
雪崩能效等级(Eas): | 230 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 24 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 240 A | 最大漏极电流 (ID): | 160 A |
最大漏源导通电阻: | 0.001 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G6 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 6 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 1640 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRF1324S-7PPBF | INFINEON |
完全替代 |
HEXFET Power MOSFET | |
AUIRF1324S-7P | INFINEON |
功能相似 |
HEXFETPower MOSFET | |
AUIRF1324S | INFINEON |
功能相似 |
HEXFETPower MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRF132R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-204AA | |
IRF133 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IRF133 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V | |
IRF133 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS | |
IRF133 | TI |
获取价格 |
IRF133 | |
IRF133 | ROCHESTER |
获取价格 |
12A, 80V, 0.23ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | |
IRF-133+/-10% | VISHAY |
获取价格 |
General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 33 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, AXIAL LE | |
IRF-1330UH+-5%B08 | VISHAY |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 330uH, 5%, Ferrite-Core, | |
IRF-1330UH+-5%EVE2 | VISHAY |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 330uH, 5%, Ferrite-Core, | |
IRF133R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-204AA |