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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF1312STRLPBF
IRF1312STRLPBF PDF预览

IRF1312STRLPBF

更新时间： 2024-09-24 13:08:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
11页 226K
描述
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 80V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

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IRF1312STRLPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.17
雪崩能效等级（Eas）：250 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：95 A最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.01 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：210 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：380 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF1312STRLPBF 数据手册

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PD- 94504  
IRF1312  
IRF1312S  
IRF1312L  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High frequency DC-DC converters  
l Motor Control  
VDSS  
80V  
RDS(on) max  
ID  
95A†  
10mΩ  
l Uninterrutible Power Supplies  
Benefits  
l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce  
Switching Losses  
l Fully Characterized Capacitance Including  
Effective COSS to Simplify Design, (See  
App. Note AN1001)  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
D2Pak  
IRF1312S  
TO-262  
IRF1312L  
TO-220AB  
IRF1312  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
95†  
Units  
A
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
67†  
380  
PD @TA = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation ˆ  
3.8  
W
Power Dissipation  
210  
Linear Derating Factor  
1.4  
W/°C  
V
VGS  
dv/dt  
TJ  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
5.1  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
Max.  
0.73  
–––  
62  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
RθJA  
–––  
0.50  
–––  
–––  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface ‡  
Junction-to-Ambient‡  
Junction-to-Ambient (PCB mount)ˆ  
°C/W  
40  
Notes  through ˆ are on page 11  
www.irf.com  
1
7/01/02  
1234567...11

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与IRF1312STRLPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF1312STRR INFINEON

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 95A I(D) | TO-263AB
IRF1312STRRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 80V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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