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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.75 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.25 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF1324LPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF1324PBF | INFINEON |
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HEXFETPower MOSFET |
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| IRF1324S-7PPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF1324SPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF1324STRL-7PP | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 24V, 0.001ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF132R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-204AA |
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| IRF133 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF133 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V |
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| IRF133 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF133 | TI |
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IRF133 |
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