5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRF1010ESTRLPBF
IRF1010ESTRLPBF PDF预览

IRF1010ESTRLPBF

更新时间： 2024-11-18 21:11:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 123K
描述
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRF1010ESTRLPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：15 weeks风险等级：0.62
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：320 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：84 A
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.012 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：330 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF1010ESTRLPBF 数据手册

 浏览型号IRF1010ESTRLPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF1010ESTRLPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF1010ESTRLPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF1010ESTRLPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF1010ESTRLPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF1010ESTRLPBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 91720  
IRF1010ES  
IRF1010EL  
l Advanced Process Technology  
l Surface Mount (IRF1010ES)  
l Low-profile through-hole (IRF1010EL)  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
HEXFET® Power MOSFET  
D
VDSS = 60V  
l Fully Avalanche Rated  
R
DS(on) = 12mΩ  
G
Description  
AdvancedHEXFET® PowerMOSFETsfromInternational  
Rectifier utilize advanced processing techniques to  
achieve extremely low on-resistance per silicon area.  
This benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETs  
are well known for, provides the designer with an  
extremely efficient and reliable device for use in a wide  
variety of applications.  
ID = 84A‡  
S
The D2Pak is a surface mount power package capable of  
accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the  
highest power capability and the lowest possible on-  
resistance in any existing surface mount package. The  
D2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofits  
low internal connection resistance and can dissipate up to  
2.0W in a typical surface mount application.  
D2Pak  
IRF1010ES  
TO-262  
IRF1010EL  
The through-hole version (IRF1010EL) is available for low-  
profile applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
84‡  
59  
A
330  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
200  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
1.4  
VGS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
Avalanche Current  
50  
17  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
mJ  
V/ns  
4.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 srew  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
0.75  
40  
Units  
RθJC  
RθJA  
°C/W  
Junction-to-Ambient (PCB mount)**  
–––  
www.irf.com  
1
02/14/02  
1234567...11

中文翻译

下载PDF

IRF1010ESTRLPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF1010ES INFINEON

功能相似

 Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=84A

与IRF1010ESTRLPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF1010ESTRR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF1010EZ INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1010EZL INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1010EZLPBF INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1010EZPBF INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1010EZPBF_15 INFINEON

获取价格

 		Advanced Process Technology
IRF1010EZS INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1010EZSPBF INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1010EZSTRLP INFINEON

获取价格

 		Advanced Process Technology
IRF1010EZSTRLPBF INFINEON

获取价格

 		暂无描述

与IRF1010ESTRLPBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证