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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.34 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 370 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 75 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 80 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0052 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | NOT SPECIFIED |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP052NE7N3GXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPP054NE8N | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPP054NE8NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPP054NE8NGHKSA2 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 85V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPP055N03LG | INFINEON |
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OptiMOS?3 Power-Transistor |
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| IPP055N03LG_09 | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| IPP055N08NF2S | INFINEON |
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Infineon's StrongIRFET? 2?power MOSFET?80 V features low RDS(on) of 5.5 mOhm, addressing a |
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| IPP057N06N3G | INFINEON |
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OptiMOSâ¢3 Power-Transistor |
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| IPP057N06N3GXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPP057N08N3 G | INFINEON |
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OptiMOS? 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源 |
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