IPF13N03LA

更新时间： 2024-09-18 22:08:59

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OptiMOS 2 Power-Transistor

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IPF13N03LA 数据手册

IPF13N03LA

OptiMOS^®2 Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

• Ideal for high-frequency dc/dc converters

• N-channel

R _DS(on),max

I _D

13.3

mΩ

• Logic level

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

P-TO252-3-23

• Superior thermal resistance

• 175 °C operating temperature

• dv /dt rated

Type

Package

Ordering Code Marking

Q67042-S4195 13N03LA

IPF13N03LA

P-TO252-3-23

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

T _C=25 °C¹⁾

I _D

Continuous drain current

T _C=100 °C

T _C=25 °C²⁾

I _D,pulse

Pulsed drain current

210

E _AS

I _D=24 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

I _D=30 A, V _DS=20 V,

di /dt =200 A/µs,

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

_j,max=175 °C

Gate source voltage³⁾

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 175

55/175/56

Rev. 1.2

page 1

2003-12-19

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