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IPG16N10S4L61AATMA1

更新时间： 2024-02-11 16:01:55

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描述
MOSFET 2N-CH 8TDSON

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IPG16N10S4L61AATMA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	12 weeks
风险等级：	5.7	湿度敏感等级：	1
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IPG16N10S4L61AATMA1 数据手册

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IPG16N10S4L-61A

OptiMOS™-T2 Power-Transistor

Product Summary

V_DS

100

R_DS(on),max

I_D

Features

• Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode

PG-TDSON-8-10

• AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green Product (RoHS compliant)

• 100% Avalanche tested

• Feasible for automatic optical inspection (AOI)

Type

Package

Marking

IPG16N10S4L-61A

PG-TDSON-8-10

4N10L61

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

Continuous drain current

one channel active

I _D

T _C=25 °C, V _GS=10 V

T _C=100 °C,

V _GS=10 V¹⁾

Pulsed drain current¹⁾

one channel active

I _D,pulse

Avalanche energy, single pulse^{1, 3)}

Avalanche current, single pulse³⁾

Gate source voltage

E _AS

I _AS

I _D=8A

V _GS

±16

Power dissipation

one channel active

P _tot

T _C=25 °C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

-55 ... +175

°C

Rev. 1.0

page 1

2014-06-30

12 3 4 5 6 7...9

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