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IPG16N10S4L61AATMA1

更新时间： 2024-02-24 08:14:12

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MOSFET 2N-CH 8TDSON

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IPG16N10S4L61AATMA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	12 weeks
风险等级：	5.7	湿度敏感等级：	1
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IPG16N10S4L61AATMA1 数据手册

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IPG16N10S4L-61A

10 Typ. Capacitances⁵⁾

9 Typ. gate threshold voltage

V _GS(th)= f(T _j); V _GS= V _DS

parameter: I _D

C = f(V _DS); V _GS= 0 V; f = 1 MHz

10³

2.5

Ciss

Coss

10²

10¹

10⁰

90µA

1.5

9µA

0.5

Crss

-60

-20

100

140

180

V_DS[V]

T_j[°C]

11 Typical forward diode characteristicis⁵⁾

12 Avalanche characteristics⁵⁾

I _{A S}= f(t _AV

I _F= f(V_SD)

)

parameter: T _j

parameter: T_j(start)

10²

100

25 °C

100 °C

10¹

150 °C

25 °C

175 °C

10⁰

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

100

1000

V_SD[V]

t_AV[µs]

Rev. 1.0

page 6

2014-06-30

1...3 4 567 8 9

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