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IPG16N10S4L61AATMA1

更新时间： 2024-01-29 22:54:30

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描述
MOSFET 2N-CH 8TDSON

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IPG16N10S4L61AATMA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	12 weeks
风险等级：	5.7	湿度敏感等级：	1
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IPG16N10S4L61AATMA1 数据手册

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IPG16N10S4L-61A

Values

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

min.

typ.

max.

Thermal characteristics^{1, 3)}

R _thJC

R _thJA

Thermal resistance, junction - case

SMD version, device on PCB

5.2

K/W

minimal footprint

100

6 cm²cooling area²⁾

Electrical characteristics, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Static characteristics

V _(BR)DSSV _GS=0V, I _D=1mA

V _GS(th)V _DS=V _GS, I _D=9µA

Drain-source breakdown voltage

Gate threshold voltage

100

1.1

1.6

2.1

V _DS=100V, V _GS=0V,

T _j=25°C

Zero gate voltage drain current³⁾

I _DSS

0.01

µA

V _DS=100V, V _GS=0V,

T _j=125°C²⁾

100

Gate-source leakage current³⁾

I _GSS

V _GS=16V, V _DS=0V

100 nA

Drain-source on-state resistance³⁾

R _DS(on)V _GS=4.5V, I _D=8A

V _GS=10 V, I _D=16 A

Rev. 1.0

page 2

2014-06-30

123 4 5 6 7...9

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