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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.72 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 47 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 15 A | 最大漏极电流 (ID)： | 17 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.045 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 21 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPG15N06S3L45ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.045ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IPG16N10S4-61 | INFINEON |
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|
|
| IPG16N10S4-61A | INFINEON |
获取价格 |
车规级MOSFET |
|
| IPG16N10S4L-61A | INFINEON |
获取价格 |
? 仿真/SPICE 型号 |
|
| IPG16N10S4L61AATMA1 | INFINEON |
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MOSFET 2N-CH 8TDSON |
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| IPG20N04S4-08 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPG20N04S4-08A | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| IPG20N04S408AATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IPG20N04S408ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0076ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPG20N04S4-09 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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